拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計(jì)，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此，Si
5G及汽車電子發(fā)力 第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模擴(kuò)大
上一個(gè) :
意法半導(dǎo)體MCU上半年缺貨未改善
下一個(gè) :
無
上一個(gè) :
意法半導(dǎo)體MCU上半年缺貨未改善
下一個(gè) :
無
上一頁
1
下一頁
- 業(yè)務(wù)咨詢
- 在線留言
- 咨詢電話 15950195524
- 返回頂部
優(yōu)嘉宏電子將以飽滿的熱情和精神，一如既往，視質(zhì)量、信譽(yù)如生命，不斷創(chuàng)新創(chuàng)好，提高質(zhì)量，
以答謝新老客商多年來的支持與厚愛，同時(shí)歡迎國內(nèi)外客商蒞臨指導(dǎo)。
版權(quán)所有◎ 2021 昆山優(yōu)嘉宏電子科技有限公司 蘇ICP備20021946號-1 ? 網(wǎng)站建設(shè)：中企動(dòng)力昆山